Estudo teórico de adsorção de Si em nanotubos de carbono

Abstract

A investigação teórica sobre a interação entre Si e nanotubos de carbono semicondutores foi o objeto de estudo neste trabalho. Analisamos o comportamento estrutural e eletrônico de um átomo de Si aproximando-se de um tubo de carbono (10,0), por meio de simulações ab initio, baseadas na teoria do funcional da densidade e utilizando o código computacional SIESTA. Observamos, a partir dos resultados das simulações, que a configuração mais estável entre o tubo e o átomo de Si é quando este se encontra entre uma ligação C-C, alterando, significativamente, também as propriedades eletrônicas do tubo original.